Vorteile >>>

Kompaktere Bauweise | GaN-Ladegeräte sind oft viel kleiner und leichter als herkömmliche Silizium-Ladegeräte. 

Höhere Effizienz | Sie wandeln Strom effizienter um, erzeugen weniger Wärme und  verlieren weniger Energie. 

Schnelleres Laden | Dank höherer Leistungsdichte können sie mehr Watt liefern und Geräte schneller laden (z. B. Smartphones, Laptops, Tablets). 

Weniger Wärmeentwicklung | GaN erzeugt bei gleicher Leistung weniger Hitze, was die  Lebensdauer der Elektronik verlängert. 

Beispiel vom Produkt mit GaN Technologie Sharge einrollendes Ladegerät

Für Experten >>>

GaN sind Wide-Bandgap-Halbleiter, Verbindungshalbleiter mit großer Bandlücke, bei  deutlich höheren Frequenzen als Silizium (MOSFETs und IGBTs). Dadurch fallen passive  Bauelemente kleiner aus und der Wirkungsgrad steigt. Im Gegensatz zu SiC (Silizium Karbid) schaltet GaN schneller.

SiC arbeitet bei höheren Spannungen als GaN, erfordert  eine hohe Gate-Ansteuerspannung. Dafür sind SiC Bauelemente wegen ihrer vorteilhaften hohen Stromtragfähigkeit in der High-Voltage Leistungselektronik sehr gefragt.